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MOS管是怎么制造的
以P型半导体为衬底，在一个低掺杂容度的P型半导体上，通过扩散技术做出来2块高掺杂容度的N型半导体，引出去分别作为 源级（S） 和 漏极（D）。 P型衬底在 MOS管内部是和源级（S）相连。 在P型衬底和两个N型半导体之间加一层二氧化硅（SiO2）绝缘膜，然后通过多晶硅引出引脚组成栅极（G）。