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MOS管怎么选型
MOS管常见的应用可能是电源中的开关元件，下面是关于MOS管选型的四大法则。
一：用N沟道或者P沟道
选择好MOS管器件的步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构 成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开 关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。
二：确定MOS管的额定电流和电压
    该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续的模式和脉冲尖峰。在连续导通的模式下，MOS管处于静态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌流过器件，一旦确定了这些条件下的电流，只需要直接选择承受这个电流的器件便可。
　确定所需的额定电压，或者器件所能承受的电压。额定电压越大，器件 的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源 极间可能承受的电压，即VDS.知道MOS管能承受的电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定 电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。
三：选择MOS管系统的散热要求
　　须考虑两种不同的情况，即坏情况和真实情况。建议采用针对坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；器件的结温等于环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=环境温度%2B[热阻?功率耗散]）。根据这个式子可解出系统的功率耗散，即按定义相等于I2?RDS（ON）。我们已将要通过器件的电流，可以计算出不同温度下的RDS（ON）。另外，还要做好电路板 及其MOS管的散热。
四：选择MOS管的开关性能
影响开关性能的参数有很多，但重要的是栅极/漏极、栅极/源极及源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对他们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗和关闭过程中的损耗。
以上就是选择MOS管的四大法则，希望对大家有所帮助。