广东佑风微电子有限公司

可控硅烧坏的原因

1.逆向电压过大

可控硅是一种双向开关，其能够承受的逆向电压与正向电压不同。一般来说，可控硅能够承受的逆向电压为其正向电压的几倍至十几倍。如果逆向电压超过了可控硅所能承受的范围，就会导致可控硅烧坏。

2.过电流作用

过电流的作用是可控硅烧坏的另一个常见原因。在使用可控硅的过程中，一旦电流超过了其所能承受的范围，就会导致可控硅发热失控、封装熔化等问题，终烧坏可控硅。

3.温度过高

可控硅的温度太高也是其烧坏的原因之一。一般情况下，可控硅的工作温度为80℃至120℃左右，如果超出这个范围就会导致可控硅失控甚至烧坏。

4.频繁开关

频繁开关也是可控硅烧坏的原因之一。频繁开关会使得电流、电压不稳定，从而导致可控硅负载过重、器件老化等问题，终烧坏可控硅。

5.电压互感器和电流互感器不匹配

电压互感器和电流互感器的不匹配也是可控硅烧坏的一个因素。电压互感器的比值不足时就会使可控硅閉合角度太小，电流互感器的比值不足时就会使可控硅动作失效，这些问题都容易导致可控硅烧坏。