广东佑风微电子有限公司

  MOSFET栅极驱动如出现了不完全导通和振荡现象应该怎么办？ 

在MOS管GS和GD之间有一个等效电容，电容两端电压不能进行突变。

 

在栅极处加上一个开关信号，可以对电容进行充放电。

 

如果栅极串联的电阻较大时，MOS管就会出现不完全导通（如下图）但下一个关闭MOS管的信号又到达的情

况。为什么？

 这是因为较大的电阻会让栅极的充放电电流比较小，电容的充电速度变慢。

 

如果将串联的电阻缩小，Vd电压信号基本保持方波（如下图），并且将开关频率降低，就能实现完全导通。

 

 

 除了出现不完全导通的情况以外，我们还会遇到栅极电压Vgs出现严重振铃 的情况：

 

此时的MOSFET不再只是彻底的导通和关断两种状态，而是反复进入了高阻导通状态，导致发热严重并且烧毁MOS管。

 

比如说，在驱动电路中增加一个串联电阻，MOSFET栅极电压波形振荡现象消失。

当R<√(L/C)时，成为欠阻尼状态，振荡就会发生。

当R>=√(L/C)时，即过阻尼状态，振荡就会消失。

 

不过在这里首先考虑减小PCB引线电感，增加走线的宽度或者减小，当电感无法减小时，就可以增加一个外部电阻，减小驱动电流