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       常用二极管和可控硅分类及参数

 常用的硅锗二极管在不同正向电流下的正向电压值见表1。锗二极管比硅二极管正向导通电压低（典型为100mV比600mV），但反向漏电流大大超过硅二极管（当加50V反向电压时为1uA比10nA），但导通的硅二极管的正向电阻大大低于锗二极管。因此，锗二极管主要用于信号检波，硅二极管则用于整流等目的。

硅和锗二极管的典型正、反向特性比较见图1。各种二极管、桥式整流器外形见图2，图中尺寸单位为mm。

欧洲型半导体二极管用字母和数字来进行分类和命名，用两个字母和三个数字命名的是普通用途二极管，用三个字母和两个数字命名的是特殊用途二极管，前两个字母表示的意义如下：di一个字母表示半导体材料，A-锗;B-硅;C-砷化镓等;D-光敏材料等。

第二个字母表示用途，A-普通用途二极管;B-调谐（变容）二极管;E-隧道二极管;P-光电二极管;Q-发光二极管;T-可控整流管;X-变容二极管;Y-功率整流管;Z-稳压二极管。

专用二极管的第三个字母通常没有什么特殊意义，稳压二极管在数字后有一附加字母，用来表示稳压值公差，用以下字母表示：A-1%;B-2%;C-5%;D-10%，稳压二极管有表示所稳电压值的数字，例如9V1表示9.1V。

例1.识别以下二极管：

l、AA113-普通用途锗二极管;

2、BB105-调谐用硅二极管（亦称变容二极管）;

3，BZY88C4V7-公差为5%稳压值为4.7V的硅稳压二极管。

三、二极管数据

表2概括了各种欧式二极管的用途及封装外形等特性;表3列出了普通用途、信号和射频二极管特性;表4列出硅整流和功率二极管特性;表5列出桥式整流器特性。

表5中所列多数桥式整流器具有200V、400V和600V品种。