广东佑风微电子有限公司

型号：YFW10H04DF

沟道类型：N+N沟MOS管

封装：PDFN3*3-8L

品牌：YFW佑风微

漏极电流ID：10A

漏源击穿电压VDS：40V

栅极阈值电压VGS(th)：1.2V-2.5V

漏极源极导通电阻RDS(ON)：15mΩ

引脚数量：8

产品特性：低电阻 快速开关速度 低压驱动使该设备非常适合便携式设备 

易于设计的驱动电路 易于并行

产品应用：锂电池保护 无线冲击 手机快速充电

欢迎咨询“佑风微电子”我司是一家从事半导体分立器件研发、生产、销售的高新科技企业。公司主要生产销售：普通整流二极管、快恢复二极管、高效率二极管、超快恢复二极管、肖特基二极管、低压降肖特基二极管、碳化硅二极管、整流桥堆、快恢复整流桥堆、肖特基桥堆、TVS瞬态抑制二极管、ESD静电保护元件、稳压二极管、晶体管、可控硅晶闸管、MOS场效应管等等。更多详情可上我司了解。