型号:YFW8G03ES
沟道类型:低压N+P沟MOS管
封装:ESOP-8
品牌:YFW佑风微
N沟漏极电流ID:9.8A
N沟漏源击穿电压VDS:30V
P沟漏极电流ID:-7.6A
P沟漏源击穿电压VDS:-30V
N沟栅极阈值电压VGS(th):1.0V-2.5V
N沟漏极源极导通电阻RDS(ON):28mΩ
P沟栅极阈值电压VGS(th):-1.0V - -2.5V
P沟漏极源极导通电阻RDS(ON):55mΩ
引脚数量:8
产品特性:采用先进的沟槽技术,提供卓越的RDS(ON),低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
产品应用:无线充电 增压驱动 无刷电机
欢迎咨询“佑风微电子”我司是一家从事半导体分立器件研发、生产、销售的高新科技企业。公司主要生产销售:普通整流二极管、快恢复二极管、高效率二极管、超快恢复二极管、肖特基二极管、低压降肖特基二极管、碳化硅二极管、整流桥堆、快恢复整流桥堆、肖特基桥堆、TVS瞬态抑制二极管、ESD静电保护元件、稳压二极管、晶体管、可控硅晶闸管、MOS场效应管等等。更多详情可上我司了解。