广东佑风微电子有限公司

型号：MMBT5551DW
封装：SOT-363
集电极-基极电压BV(cbo)：180V
集电极-发射极电压BV(ceo)：160V
发射器基电压BV(ebo)：6V
集电极电流IC：0.6A 
直流电流增益： VCE=5V    IC=1mA       hFE=80
                       VCE=5V    IC=10mA     hFE=80-250
                       VCE=5V    IC=50mA     hFE=30
 集电极-发射极饱和电压：IC=10mA  IB=1mA  VCE(sat)=0.15V
                                     IC=50mA  IB=5mA  VCE(sat)=0.2V
引脚数量：6
产品特性：一个封装中的两个晶体管 减少组件数量和板空间
晶体管之间无相互干扰
产品应用：用于高压放大器应用的NPN硅外延平面晶体管


欢迎咨询“佑风微电子”我司是一家从事半导体分立器件研发、生产、销售的高新科技企业。公司主要生产销售：普通整流二极管、快恢复二极管、高效率二极管、超快恢复二极管、肖特基二极管低压降肖特基二极管、碳化硅二极管、整流桥堆、快恢复整流桥堆、肖特基桥堆、TVS瞬态抑制二极管、ESD静电保护元件、稳压二极管、晶体管、可控硅晶闸管、MOS场效应管等等。更多详情可上我司了解。