广东佑风微电子有限公司

型号：YFW60N02DF沟道类型：N沟道封装：PDFN3*3-8L品牌：YFW佑风微zui大漏极电流ID：60A漏源击穿电压VDS：20V栅极阈值电压VGS(th)：0.5V-1.2V漏极源极导通电阻RDS(ON)：10mΩ引脚数量：8产品特性：低内阻值沟槽工艺...

型号：YFW60N02BD 沟道类型：N沟道封装：TO-252品牌：YFW佑风微zui大漏极电流ID：60A漏源击穿电压VDS：20V栅极阈值电压VGS(th)：0.5V-1.2V漏极源极导通电阻RDS(ON)：10mΩ引脚数量：3产品特性：低内阻值沟槽工艺芯片...

型号：YFW60N02AD 沟道类型：N沟道封装：TO-252品牌：YFW佑风微zui大漏极电流ID：60A漏源击穿电压VDS：20V栅极阈值电压VGS(th)：0.5V-1.2V漏极源极导通电阻RDS(ON)：9.0mΩ引脚数量：3产品特性：低内阻值沟槽工艺芯...

型号：YFW50N02NF沟道类型：N沟道封装：PDFN5*6-8L品牌：YFW佑风微zui大漏极电流ID：53A漏源击穿电压VDS：20V栅极阈值电压VGS(th)：0.4V-1.1V漏极源极导通电阻RDS(ON)：13mΩ引脚数量：8产品特性：低内阻值沟槽工艺...

型号：YFW50N02DF沟道类型：N沟道封装：PDFN3*3-8L品牌：YFW佑风微zui大漏极电流ID：53A漏源击穿电压VDS：20V栅极阈值电压VGS(th)：04V-1.1V漏极源极导通电阻RDS(ON)：13mΩ引脚数量：8产品特性：低内阻值沟槽工艺芯...

型号：YFW40N02AD沟道类型：N沟道封装：TO-252品牌：YFW佑风微zui大漏极电流ID：48A漏源击穿电压VDS：20V栅极阈值电压VGS(th)：04V-1.1V漏极源极导通电阻RDS(ON)：13mΩ引脚数量：3产品特性：低内阻值沟槽工艺芯片产...

型号：YFW30N02AD 沟道类型：N沟道封装：TO-252品牌：YFW佑风微zui大漏极电流ID：30A漏源击穿电压VDS：20V栅极阈值电压VGS(th):0.5V-1.0V漏极源极导通电阻RDS(ON)：35mΩ引脚数量：3产品特性：低内阻值沟槽工艺芯片...

型号：YFW20N02DF沟道类型：N沟道封装：PDFN3*3-8L品牌：YFW佑风微zui大漏极电流ID：20A漏源击穿电压VDS：20V栅极阈值电压VGS(th):0.4V-1.1V漏极源极导通电阻RDS(ON)：13mΩ引脚数量：8产品特性：低内阻值沟槽工艺芯...

型号：YFW20N02AD沟道类型：N沟道封装：SOT-252品牌：YFW佑风微zui大漏极电流ID：20A漏源击穿电压VDS：20V栅极阈值电压VGS(th):0.5V-1V漏极源极导通电阻RDS(ON)：35mΩ引脚数量：3产品特性：低内阻值沟槽工艺芯片产...

BFS20 3A 20V SOT-23印字S2 低压N沟MOS管 YFW佑风微品牌型号：BFS20沟道类型：N沟道封装：SOT-23品牌：YFW佑风微zui大漏极电流ID：3A漏源击穿电压VDS：20V栅极阈值电压VGS(th):0.5V-1.2V漏极源极导通电阻RDS(ON)：35...

型号：YFW15N02S沟道类型：N沟道封装：SOP-8品牌：YFW佑风微zui大漏极电流ID：15A漏源击穿电压VDS：20V栅极阈值电压VGS(th):0.4V-1.1V漏极源极导通电阻RDS(ON)：13mΩ引脚数量：8产品特性：低内阻值沟槽工艺芯片产品...

我们来介绍下新产品IGBT，又称绝缘栅极双极性晶体管。在实际电子应用中常见的电子元器件是双极结型晶体管 BJT 和 MOS管。而IGBT（绝缘栅极双极性晶体管）你可以把 将它 看作 BJT 和 MOS 管的融合体，这是因为IGBT具...

在电子应用中，使用两个PMOS管背靠背连接是常见的电路设计，其主要目的是为了提高电路的稳定性和可靠性。那么，两个PMOS管背靠背连接，是串联还是并联？事实上，两者都是，即存在串联和并联两种方式。今天我们主要带...

负电压是指实际电压低于参考电压时所产生的电压值。通常以供电电源负极为参考点，通过两个电源的串联产生负电压。负电压在电子电路中具有避免大电流损坏设备和提高测试度等意义，在电信、MOS管栅极控制和双电源运算...

实例讲解MOS管缓启动电路为什么需要电源启动？电源缓启动能做什么？缓启动，顾名思义就是让电路电源缓慢开启。那解释起来这么简单，工作原理是否如此呢？今天我们带着上面的疑问一起来讨论电源缓启动的应用分析。首...