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结型场效应管的管脚识别方法

结型场效应管的管脚识别方法结型场效应管的管脚识别:判定栅极G:将万用表拨至R?1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另...

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2024-06

用万用表R×1k挡测量管子的好坏:

用万用表R?1k挡测量管子的好坏:1.对于单极型的TVS,按照测量普通二极管的方法,可测出其正、反向电阻,一般正向电阻为4kΩ左右,反向电阻为无穷大。2.对于双向极型的TVS,任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值...

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2024-06

p沟道mos管工作原理

p沟道mos管工作原理正常工作时,P沟道增强型MOS管的衬底必需与源极相连,而漏心极的电压Vds应为负值,以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏,同时为了在衬底顶表面左近构成导电沟道,栅极对源极的电压Vgs也应为负...

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2024-06

贴片集成电路是如何被拆卸的

贴片集成电路是如何被拆卸的贴片集成电路的拆卸方法如下:1.如果贴片集成电路已经损坏,可使用刀片将该集成电路的引脚齐根切断,然后用防静电烙铁将断下的引脚焊下即可。2.如果不确定该集成电路是否损坏,可使用一段...

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2024-06

可控硅的基本概念

可控硅的基本概念可控硅(SCR)是可控硅整流器的简称。可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点,被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动...

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2024-06

晶闸管损坏如何判断

晶闸管损坏如何判断当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时,可把管芯从冷却套中取出,打开芯盒再取出芯片,观察其损坏后的痕迹,以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏...

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2024-06

瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测

用万用表R?1k挡测量管子的好坏:1.对于单极型的TVS,按照测量普通二极管的方法,可测出其正、反向电阻,一般正向电阻为4kΩ左右,反向电阻为无穷大。2.对于双向极型的TVS,任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值...

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2024-06

实际应用中可控硅的开关频率

实际应用中可控硅的开关频率在实际应用中,可控硅开关频率主要受到以下因素的影响:1. 电压电压是影响可控硅开关频率的主要因素之一。可控硅必须遵循规定的峰值电压和平均电压,以保证正常工作和安全运行。较高的电...

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2024-06

耗尽型MOS管工作原理

耗尽型MOS管工作原理耗尽型MOS管工作原理如下:工作时,栅源之间不加电压,同增强型MOS管不同,漏源之间存在导电沟道,因此只要在漏源之间加正向电压,就会产生漏极电流。并且,栅源之间加正向电压时,导电沟道增大...

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2024-06

一个好的MOSFET驱动电路应当有以下几点要求

一个好的MOSFET驱动电路应当有以下几点要求要求如下:(1) 导通时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。(2) 开关导通期间驱...

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2024-06

整流二极管的关断电路是简单的加速电路。

整流二极管的关断电路是简单的加速电路。 Rgate调整着MOS管的开启速度,当关断的时候,由整流二极管短路电阻,此时G极电流为:Imin=Vf / Rgate 。 整流二极管电路的优点是大大加速了关断的速度,但是它...

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2024-06

快恢复二极管和超快恢复二极管的结构特点有哪些?他们有什么区别呢?

快恢复二极管和超快恢复二极管的结构特点有哪些?他们有什么区别呢? 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P- I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅...

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2024-06

场效应管特点

具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。  作用:  场效应管...

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2024-06

肖特基二极管与快恢复二极管有什么不同之处?

肖特基二极管与快恢复二极管有什么不同之处? 一、快恢复二极管简称FRD(反向恢复时间很短的二极管),也是一种高速开关二极管,这种二极管的开关特性好,反向恢复时间很短,正向压降低,反向击穿电压较高(耐...

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2024-06

快恢复二极管trr是如何定义的

快恢复二极管的特点主要体现在反向恢复二极管,这也是快恢复二极管与其他二极管的区别之处。那么反向恢复二极管的定义是什么? 快恢复二极管与普通整流二级管的区别就是快恢复二极管的反向恢复时间。那么快恢...

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2024-06