广东佑风微电子有限公司

在电子应用中，使用两个PMOS管背靠背连接是常见的电路设计，其主要目的是为了提高电路的稳定性和可靠性。那么，两个PMOS管背靠背连接，是串联还是并联？事实上，两者都是，即存在串联和并联两种方式。今天我们主要带...

负电压是指实际电压低于参考电压时所产生的电压值。通常以供电电源负极为参考点，通过两个电源的串联产生负电压。负电压在电子电路中具有避免大电流损坏设备和提高测试度等意义，在电信、MOS管栅极控制和双电源运算...

实例讲解MOS管缓启动电路为什么需要电源启动？电源缓启动能做什么？缓启动，顾名思义就是让电路电源缓慢开启。那解释起来这么简单，工作原理是否如此呢？今天我们带着上面的疑问一起来讨论电源缓启动的应用分析。首...

引言反向极性保护这个词许多工程师并不陌生。大多数前端电源系统，特别是电子汽车领域中，极性反接保护成为连接电池的 ECU/系统的一个关键组成部分。它主要防止在浪涌事件，或者感应负载与电池断开连接期间出现动态...

本文介绍了功率MOSFET在PCM保护电路模块中的工作原理及性能要求。PCM使用两个N沟道功率MOSFET，一个用于充电，另一个用于放电。为提高充电速度和缩减充电时间，要求功率MOSFET具有更低的导通电阻、更小的尺寸、更高...

MOS管发热问题通常由电路设计问题、驱动频率过高、散热设计不足或MOS管选型不当等因素导致。发热会导致功率管损耗增加，从而影响MOS管性能。因此，应关注散热设计，选择合适的散热片，并选择低导通电阻的MOS管以降低...

雪崩失效MOSFET漏源极的电压超过其规定电压值，并且达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。下面这张测试图是区分是否雪崩失效。那么，我们应该怎样有效预防雪崩效应呢？雪崩效应的主要原因是由电压引起的，...

碳化硅MOS在直流充电桩中具有低导通电阻、高开关速度和高温特性等优点，可实现快速充电。推荐使用碳化硅MOS产品，具有耐高压、耐高频、耐高温等优势，能带来更小尺寸的产品设计和更好效率。碳化硅MOS是一种新型的功...

电力晶体管的详细资料 电力晶体管的结构　　电力晶体管(Giant Transistor)简称GTR，结构和工作原理都和小功率晶体管非常相似。GTR由三层半导体、两个PN结组成。和小功率三极管一样，有PNP和NPN两种类型，GTR通常...

晶体管的开关作用 (一)控制大功率 现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是； (1)容易关断，所需要的辅助元器件少， (2)开关迅速，能在很高的...

单结晶体管工作原理有哪些？ 单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略...

MOSFET管功率 功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V；低导通电阻MOSFET其阻值仅lOmΩ；工作频率范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越完善；并开...

关于晶体管和电子管检测的问题关于晶体管和电子管检波的问题 1、检波效率 检波用二极管的设计是基于普通超外差双调谐中频变压器电路的检波设计的。检波二极管除了应该保证在zui大信号输入时候有足够大的电...

晶体管温度补偿和电路实例分析晶体管温度补偿电路实例分析 晶体管的主要参数，如电流放大倍数、基极-发射极电压、集电极电流等，都与环境温度密切相关。因此，在晶体管电路中需要采取必要的温度补偿措施，才能获...

晶体管的选用经验和技巧晶体管的选用经验和技巧 晶体管的品种繁多，不同的电子设备与不同的电子电路，对晶体管各项性能指标的要求是不同的。所以，应根据应用电路的具体要求来选择不同用途，不同类型的晶体管。 ...