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四种常见的MOS管驱动电路设计

今天就和大家一起来了解下MOS管常见的几种驱动电路设计(但不限于)以及如何选择合适的驱动电路设计来驱动MOS管。MOS管有着导通内阻低,开关速度快等优势,被广泛应用在开关电源中。因此对于一个MOS管来说,其驱动电...

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2025-03

晶圆代工是什么?

晶圆(英:Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片,是生产集成电路所用的载体。现实中常见的硅晶片有电脑CPU和手机芯片等等。晶圆代工 (Foundry)是半导体产业的一种商业模式,指接受其他无厂半导体公司(Fabl...

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2025-03

MOSFET导通实际应用中,为什么以栅源电压VGS大于VTH为判断依据

在网上看到这个问题:一般在介绍 MOS 管工作时,似乎都是说在栅级加一个电压,当栅极对衬底的电位差大于 VTH(阈值电压)时沟道形成,管子可以导通,而没有源极和漏极什么事。但为什么实际计算和使用时却是要以栅源电...

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2025-03

求解Mos管亚阈值导通现象?

MOS管的亚阈值导通原理是指当MOS管的栅极电压低于阈值电压,但仍有微小的电流通过。这是由于亚阈值条件下,栅极与源极之间形成一个反型二极管,导致微小的漏电流通过。在亚阈值区域,MOS管的导电机制主要由漏极侧的...

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2025-03

MOS管Vg大于Vth后,耗尽区会不会继续变大?

在MOS管中,栅极电压控制耗尽区的形成。MOS管的耗尽区,电流主要由漏极到源极的电流决定。当栅极电压低于或等于阈值电压时,漏极和源极之间的耗尽区存在,导致电流受限。但当栅极电压超过阈值电压时,MOS管进入了放...

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2025-03

衬偏效应和体效应(MOSFET篇)

衬底偏置效应和体效应是半导体器件中常见的两种效应。衬底偏置效应:指在MOS管中,衬底与栅极之间的电势差对导电性能的影响衬偏效应可以通过调整衬底电压来改变,以控制MOS管的导通和截止。体效应:由于掺杂浓度不同...

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2025-03

MOS管中漏电流产生的主要六大原因

我们知道,漏电流会导致功耗,尤其是在较低的阈值电压下。下面我们来了解在MOS管漏电流找到的主要的六大原因。1. 栅极电流MOSFET中漏极电流产生的原因是由于材料或制造工艺的不完美导致的。例如,MOSFET内部的绝缘层...

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2025-03

可控硅工作原理及作用

可控硅工作原理及作用可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流,还可以用作无触点开关的快速接通或切断;实现将直流电变...

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2025-03

常用二极管和可控硅分类及参数

常用二极管和可控硅分类及参数 常用的硅锗二极管在不同正向电流下的正向电压值见表1。锗二极管比硅二极管正向导通电压低(典型为100mV比600mV),但反向漏电流大大超过硅二极管(当加50V反向电压时为1uA比10nA),但...

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2025-03

大功率可控硅好与坏如何判断

大功率可控硅好与坏如何判断单向可控硅的工作原理:  可控硅导通条件:一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压,二是控制极也要加正向电压。以上两个条件 单向可控硅的工作原理图[1]必须同时具备,可控硅才会处于...

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2025-03

双向可控硅触发电路图大全

双向可控硅触发电路图大全为了提高效率,使触发脉冲与交流电压同步,要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲,且触发脉冲电压应大于4V,脉冲宽度应大于20us.图中BT为变压器,TPL521-2为光电耦合器,起隔离作用。...

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2025-03

可控硅参数及单双向型号介绍

可控硅参数及单双向型号介绍 随着电器的使用越来越频繁,我们生活中使用到电器产品的次数也随之变多,而电器的使用因为是靠着电能的,而电能对我们人体伤害十分的大,因此我们需要对电器产品有着十分高度的注意...

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2025-03

可控硅的基本工作原理及在调光器中的使用

可控硅的基本工作原理及在调光器中的使用 · 不管可控硅的外形如何,它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结(J1、J2、J3),从J1结构的P1层引出阳极A,从N2层引出阴级...

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双向可控硅原理及如何好坏判断

双向可控硅原理及如何好坏判断 “双向可控硅”:是在普通可控硅的基础上发展而成的,它不仅能代替两只反极性并联的可控硅,而且仅需一个触发电路,是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关...

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2025-03

双向可控硅作用及应用

双向可控硅作用及应用1、双向可控硅在电路中的作用是:用于交流调压或交流电子开关。 2、双向可控硅”是在普通可控硅的基础上发展而成的,它不仅能代替两只反极性并联的可控硅,而且仅需一个触发电路,是比较理...

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