广东佑风微电子有限公司

型号：BC3439KDW

沟道类型：低压N+P沟MOS管

封装：SOT-363

品牌：YFW佑风微

N沟漏极电流ID：0.75A

N沟漏源击穿电压VDS：20V

P沟漏极电流ID：-0.66A

P沟漏源击穿电压VDS：-20V

N沟栅极阈值电压VGS(th)：0.35V-1.1V

N沟漏极源极导通电阻RDS(ON)：800mΩ

P沟栅极阈值电压VGS(th)：-0.35V - -1.1V

P沟漏极源极导通电阻RDS(ON)：950mΩ

引脚数量：6

产品特性：表面贴装封装 低Rps(on) 在低逻辑电平门驱动器下操作 ESD保护门

产品应用：负载/功率开关接口交换 超小型便携式电子设备的电池管理 逻辑电平移位

欢迎咨询“佑风微电子”我司是一家从事半导体分立器件研发、生产、销售的高新科技企业。公司主要生产销售：普通整流二极管、快恢复二极管、高效率二极管、超快恢复二极管、肖特基二极管、低压降肖特基二极管、碳化硅二极管、整流桥堆、快恢复整流桥堆、肖特基桥堆、TVS瞬态抑制二极管、ESD静电保护元件、稳压二极管、晶体管、可控硅晶闸管、MOS场效应管等等。更多详情可上我司了解。