广东佑风微电子有限公司

型号：YFW4G02LI

沟道类型：低压N+P沟MOS管

封装：SOT23-6L

品牌：YFW佑风微

N沟漏极电流ID：4.5A

N沟漏源击穿电压VDS：20V

P沟漏极电流ID：-3.8A

P沟漏源击穿电压VDS：-20V

N沟栅极阈值电压VGS(th)：0.5V-1.2V

N沟漏极源极导通电阻RDS(ON)：40mΩ

P沟栅极阈值电压VGS(th)：-0.45V - -1.0V

P沟漏极源极导通电阻RDS(ON)：100mΩ

引脚数量：6

产品特性：表面贴装封装 低Rps(on) 在低逻辑电平门驱动器下操作 ESD保护门

产品应用：无刷直流电机

欢迎咨询“佑风微电子”我司是一家从事半导体分立器件研发、生产、销售的高新科技企业。公司主要生产销售：普通整流二极管、快恢复二极管、高效率二极管、超快恢复二极管、肖特基二极管、低压降肖特基二极管、碳化硅二极管、整流桥堆、快恢复整流桥堆、肖特基桥堆、TVS瞬态抑制二极管、ESD静电保护元件、稳压二极管、晶体管、可控硅晶闸管、MOS场效应管等等。更多详情可上我司了解。