广东佑风微电子有限公司

型号：YFW25G02NF

沟道类型：低压N+P沟MOS管

封装：PDFN5*6-8L

品牌：YFW佑风微

N沟漏极电流ID：32A

N沟漏源击穿电压VDS：20V

P沟漏极电流ID：26.8A

P沟漏源击穿电压VDS：-20V

N沟栅极阈值电压VGS(th)：0.58V-1.2V

N沟漏极源极导通电阻RDS(ON)：13mΩ

P沟栅极阈值电压VGS(th)：-0.58V - -1.2V

P沟漏极源极导通电阻RDS(ON)：25mΩ

引脚数量：8

产品特性：采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS(ON)，低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

产品应用：无线充电 增强驱动无刷电机

欢迎咨询“佑风微电子”我司是一家从事半导体分立器件研发、生产、销售的高新科技企业。公司主要生产销售：普通整流二极管、快恢复二极管、高效率二极管、超快恢复二极管、肖特基二极管、低压降肖特基二极管、碳化硅二极管、整流桥堆、快恢复整流桥堆、肖特基桥堆、TVS瞬态抑制二极管、ESD静电保护元件、稳压二极管、晶体管、可控硅晶闸管、MOS场效应管等等。更多详情可上我司了解。